石墨-半導體應用

第三代半導體材料是以碳化矽(SiC)及氮化鎵(GaN)為材料主流。具備高功率、耐高溫、高崩潰電壓、高電流密度及高頻等特性,更能因應電動車、綠能、5G基站、雷達及快充等發展趨勢,其中以SiC-on-SiC、GaN-on-SiC、GaN-on-Si最具發展性。


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