石墨-半導體應用

第三代半導體材料是以碳化矽(SiC)及氮化鎵(GaN)為材料主流。具備高功率、耐高溫、高崩潰電壓、高電流密度及高頻等特性,更能因應電動車、綠能、5G基站、雷達及快充等發展趨勢,其中以SiC-on-SiC、GaN-on-SiC、GaN-on-Si最具發展性。


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Proerty values R-6340 R-6500 R-6510 R-6650
Density g/cm3 1.72 1.77 1.83 1.84
Porosity(Open) % 15 14 10 10
Grain Size μm
15 10 10 7
Hradness Rockwell B 5/100 HRB
80 70 90 95
Young's mouldus Mpa 11000 10500 11500 12500
Flexural Strength Mpa
40 45 60 65
Compressive Strength Mpa
85 90 130 150
Specific electrical resistance
µΩm 16 12 13 14
Thermal expension x10-6K-1 3.2 4-54.2 4.2 4.1
Thermal conductivity
Wm-1K-1 105 90 105 95
Ash Value
ppm 100 100 100 100