石墨-半導體應用

第三代半導體材料是以碳化矽(SiC)及氮化鎵(GaN)為材料主流。具備高功率、耐高溫、高崩潰電壓、高電流密度及高頻等特性,更能因應電動車、綠能、5G基站、雷達及快充等發展趨勢,其中以SiC-on-SiC、GaN-on-SiC、GaN-on-Si最具發展性。


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Proerty values R-6340 R-6500 R-6510 R-6650 -
Density g/cm3 1.72 1.77 1.83 1.84 -
Porosity(Open) % 15 14 10 10 -
Grain Size μm
15 10 10 7 -
Hradness Rockwell B 5/100 HRB
80 70 90 95 -
Young's mouldus Mpa 11000 10500 11500 12500 -
Flexural Strength Mpa
40 45 60 65 -
Compressive Strength Mpa
85 90 130 150 -
Specific electrical resistance
µΩm 16 12 13 14 -
Thermal expension x10-6K-1 3.2 4.2 4.2 4.1 -
Thermal conductivity
Wm-1K-1 105 90 105 95 -
Ash Value
ppm 100 100 100 100 -